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中芯國際有望超過聯電成為全球晶圓代工三哥

作者: 銘順科技 發表時間:2017年04月15日

中芯國際是中國最大的半導體代工廠,其代表著中國半導體制造的最先進水平,近期其先后發布兩大消息--2018年量產16nm和今年投資金額提升到25億,兩項指標都超過了全球第三大代工廠聯電,這似乎預示著它正有望超過聯電成全球第三大代工廠。

目前在制造工藝方面,三星已取得領先地位,剛剛量產了10nm工藝,而臺積電預計在年底量產10nm,這兩家處于第一陣營,是直接的競爭對手。

格羅方德通過購買三星的14nmFinFET工藝成為第三家量產該工藝的代工廠,不過它多年虧損,發展前景并不明朗,更傳出要出售給中國企業的消息,在當前全球發展最快并已成為全球最大芯片市場的中國市場并沒贏得多少客戶,與中芯國際的競爭并不明顯。

相比之下,與中芯國際競爭最直接的就是聯電了。聯電在過去十多年時間一直是前年老二,位居臺積電之下,其將希望放在中國市場,希望在這一市場獲得“第二春”,早早在大陸市場設立了和艦科技,目前在大陸廈門正努力建設其12英寸晶圓廠,本欲在今年底投產并引入28nm工藝的,但是目前由于其14nm工藝尚未量產而臺灣當局要求它在臺灣采用領先一代的工藝,讓它陷入兩難。

即使聯電明年上半年如期量產14nmFinFET工藝,其在廈門引入的也只是28nm工藝,與中芯國際處于同一水平,鑒于本地化因素的影響估計大陸多數客戶在比較之下還是會選擇選擇中芯國際的,聯電在大陸的競爭力并不大。

在投資金額方面,聯電今年的投資金額為22億美元,在中芯國際將今年的投資額提升到25億美元后,這是中芯國際首次在投資金額方面超越聯電,這將加速中芯國際的半導體制造工藝研發進程,或許真能如它所愿趕在2018年量產14nmFinFET工藝,那時候中芯國際相較聯電的競爭優勢會更明顯。

臺積電計劃于2018年投產的南京工廠也正是引入16nmFinFET工藝,面對中芯國際14nmFinFET工藝的投產,其要么是引入更先進的10nm工藝不然由于本地化的關系同樣難以與中芯國際競爭。

2015年前五大半導體代工廠中,中芯國際以13.1%的增速位居第一,IC insights預計其今年的銷售額可以達到28.5億美元同比增長達到27%,繼續在前五大半導體代工廠中位居增速第一,如以20%的增速計算到2020將接近60億美元。

而聯電去年的營收為45.6億美元,同比下滑1.3%,是前五大代工廠中唯一一家同比出現下滑的,在其寄予厚望的大陸市場遭受中芯國際和臺積電搶單的情況下其能否保持增長成為疑問,因此業界認為中芯國際最快將在2020年趕超聯電成為全球第三大半導體代工廠。

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